东北大学学报:自然科学版 ›› 1990, Vol. 11 ›› Issue (2): 154-158.DOI: -

• 论著 • 上一篇    下一篇

HB掺In-GaAs晶体缺陷的X射线形貌研究

郭起志;赵梦春;赵惠芳;李庆辉;赵志杰   

  1. 东北工学院;东北工学院;东北工学院;营口火柴厂;营口火柴厂
  • 收稿日期:1990-05-01 修回日期:1990-05-01 出版日期:1990-03-15 发布日期:2015-09-06
  • 通讯作者: -
  • 作者简介:-
  • 基金资助:
    -

-

-   

  1. -
  • Received:1990-05-01 Revised:1990-05-01 Online:1990-03-15 Published:2015-09-06
  • Contact: -
  • About author:-
  • Supported by:
    -

摘要: 利用X射线形貌术,结合电子探针研究HB掺In-GaAs晶体缺陷的问题。实验结果表明,等电子掺杂In非常明显地降低了HB法GaAs晶体的缺陷,但其掺入量及其均匀分布十分关键。

关键词: X射线形貌术, 晶体缺陷, 位错, 等电子掺杂

Abstract: -

中图分类号: