摘要: 利用X射线形貌术,结合电子探针研究HB掺In-GaAs晶体缺陷的问题。实验结果表明,等电子掺杂In非常明显地降低了HB法GaAs晶体的缺陷,但其掺入量及其均匀分布十分关键。
中图分类号:
郭起志;赵梦春;赵惠芳;李庆辉;赵志杰. HB掺In-GaAs晶体缺陷的X射线形貌研究[J]. 东北大学学报:自然科学版, 1990, 11(2): 154-158.
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