摘要: 本文对N型(111)高阻、P型(111)和N型(100)低阻硅单晶,进行了热处理实验,研究了氧含量和热处理温度对无位错硅单晶的电阻率、寿命和红外吸收特性的影响,确定了影响电阻率稳定性的氧含量值。
中图分类号:
梁连科;李志魁;周子岚;戴才旺. 硅单晶热稳定性研究[J]. 东北大学学报:自然科学版, 1979, -(2): 66-76.
-. -[J]. Journal of Northeastern University:Natural Science, 1979, -(2): 66-76.