东北大学学报:自然科学版 ›› 1986, Vol. 7 ›› Issue (2): 93-96.DOI: -
李博
收稿日期:1986-05-01
修回日期:1986-05-01
出版日期:1986-04-15
发布日期:2015-09-06
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基金资助:-
Received:1986-05-01
Revised:1986-05-01
Online:1986-04-15
Published:2015-09-06
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Supported by:摘要： 本文应用能带结构的多谷模型,对N型硅在[100]方向的压阻效应进行了理论分析。当沿N型硅晶体的[100]轴施加压力并分别在[100]和[010]方向加电场时所引起的电导率变化的主要原因是:电子在能谷之间转移时,电子的迁移率发生变化。由此推导出N型硅的纵向压阻系数π_(11)与横向阻压系π_(12)之间的关系是:π_(12)=-1/2π_(11)且π_(12)的符号是“正”,π_(11)的符号是“负”。这一结果与C.S.Smith的实验测量数据吻合。
中图分类号:
李博. N型硅压阻系数π_(11)与π_(12)之间关系的理论推导[J]. 东北大学学报:自然科学版, 1986, 7(2): 93-96.
-. -[J]. Journal of Northeastern University:Natural Science, 1986, 7(2): 93-96.
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