东北大学学报(自然科学版) ›› 2012, Vol. 33 ›› Issue (12): 1741-1744.DOI: -
邹祥宇;谢宏伟;翟玉春;戴永年;
收稿日期:
2013-06-19
修回日期:
2013-06-19
发布日期:
2013-04-04
通讯作者:
-
作者简介:
-
基金资助:
Zou, Xiang-Yu (1); Xie, Hong-Wei (1); Zhai, Yu-Chun (1); Dai, Yong-Nian (2)
Received:
2013-06-19
Revised:
2013-06-19
Published:
2013-04-04
Contact:
Zou, X.-Y.
About author:
-
Supported by:
摘要: 采用熔盐电解精炼技术在物质的量比为1∶1的NaF-KF混合共晶熔盐中对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅.采用SEM和ICP-MS对熔盐电解精炼后产物硅进行表征.考察了熔盐电解精炼过程中电压、温度、时间对冶金硅中主要杂质去除率的影响.在2.0 V,1 073 K条件下,冶金硅阳极经电解精炼400min后,精炼产物形貌为线状,直径主要分布在50~150nm之间,长度达到几十微米.冶金硅中主要金属杂质的去除率在92%以上,B,P杂质的去除率分别为92.1%和97.6%,产物硅的纯度达到99.999%.
中图分类号:
邹祥宇;谢宏伟;翟玉春;戴永年;. 熔盐电解精炼制备太阳能级多晶硅[J]. 东北大学学报(自然科学版), 2012, 33(12): 1741-1744.
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