东北大学学报(自然科学版) ›› 2024, Vol. 45 ›› Issue (4): 548-554.DOI: 10.12068/j.issn.1005-3026.2024.04.012
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周云光1,2,3, 田川川1, 王书海1, 陈晗1
Yun-guang ZHOU1,2,3, Chuan-chuan TIAN1, Shu-hai WANG1, Han CHEN1
摘要:
为探究SiC陶瓷的磨削去除机理及磨削参数对磨削力影响规律,基于SPH (smoothed particle hydrodynamics) 法建立了单磨粒冲击SiC陶瓷仿真模型,分析了SiC磨削裂纹产生和扩展机制;通过单因素试验分析了vs,vw和ap对SiC磨削去除机理、法向磨削力和切向磨削力的影响规律.结果表明,磨粒冲击导致中位裂纹和横向裂纹产生,随着磨粒压入深度的增加,横向裂纹向材料近表面区域扩展,当横向裂纹扩展至材料表面形成脆性断裂;随着vs的增大,vw和ap的减小,磨削表面产生的凹坑区域和凹坑深度减小,塑性去除区域变大,法向磨削力和切向磨削力均呈减小趋势.研究成果为SiC构件的高效低损伤加工提供重要依据.
中图分类号: