东北大学学报:自然科学版 ›› 1979, Vol. - ›› Issue (2): 66-76.DOI: -

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硅单晶热稳定性研究

梁连科;李志魁;周子岚;戴才旺   

  1. 东北工学院有色系半导体材料教研室;东北工学院有色系半导体材料教研室;东北工学院有色系半导体材料教研室;东北工学院有色系半导体材料教研室
  • 收稿日期:1979-05-01 修回日期:1979-05-01 出版日期:1979-05-15 发布日期:2015-09-06
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  • Received:1979-05-01 Revised:1979-05-01 Online:1979-05-15 Published:2015-09-06
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摘要: 本文对N型(111)高阻、P型(111)和N型(100)低阻硅单晶,进行了热处理实验,研究了氧含量和热处理温度对无位错硅单晶的电阻率、寿命和红外吸收特性的影响,确定了影响电阻率稳定性的氧含量值。

关键词: 硅单晶, 热稳定性研究, 施主浓度, 红外吸收, 氧含量, 少数载流子寿命, 高阻, 电阻率变化, 低阻, 红外透过率

Abstract: -

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