摘要: 用微扰展开的方法计算了单带扩展的Hubbard模型的磁化率。讨论了最近邻格点的电子与电子之间的排斥作用对系统铁磁和反铁磁磁化率的影响。并指出,在二阶近似的情况下该模型在高密度区存在反铁磁相变,相邻格点电子之间的相互排斥对反铁磁临界温度几乎没有影响。
中图分类号:
赵宝华;聂惠权;张开义. 强相关扩展的Hubbard模型二阶近似磁化率[J]. 东北大学学报:自然科学版, 1989, 10(5): 496-501.
-. -[J]. Journal of Northeastern University:Natural Science, 1989, 10(5): 496-501.