东北大学学报:自然科学版 ›› 2002, Vol. 23 ›› Issue (4): 345-347.DOI: 10.12068/j.issn.1005-3026.2002.04.011

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铝电解槽碳化硅绝缘侧壁材料的耐蚀性

王兆文;高炳亮;赵冰洋;邱竹贤   

  1. 东北大学材料与冶金学院;东北大学材料与冶金学院;东北大学材料与冶金学院;东北大学材料与冶金学院辽宁沈阳110004;辽宁沈阳110004;辽宁沈阳110004;辽宁沈阳110004
  • 收稿日期:2002-04-30 修回日期:2002-04-30 出版日期:2002-04-15 发布日期:2014-10-22
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    国家自然科学基金资助项目(50174017);;国家重点基础研究发展规划项目(1999064903)

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  • Received:2002-04-30 Revised:2002-04-30 Online:2002-04-15 Published:2014-10-22
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摘要: 研究了在有氧气存在的条件下碳化硅砖的抗腐蚀情况,测定了在不同温度下碳化硅砖在氧气流中的抗氧化情况,发现在850℃和750℃时的氧化情况差别不大,但明显好于950℃时的氧化情况·观察了试样在950℃时的动态腐蚀情况,发现在有氧气存在的条件下,碳化硅砖在电解质中的腐蚀速度明显加快·因此认为在750~850℃的低温电解是新型惰性电极电解槽的首选工艺·

关键词: 碳化硅砖, 铝电解槽, 腐蚀, 氧化

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