摘要: 利用时域有限差分法(FDTD)研究了晶圆片中SiO2沟槽尺寸变化对其表面吸收率的影响.同时利用等效介质理论(EMT)对预测结果进行了进一步解释分析.计算结果表明,次波长光栅时,EMT可以很好地预测光谱吸收率的变化;当SiO2沟槽宽度增加时腔共振效应提高了晶圆片表面的吸收率;当光栅周期与入射波长大小相当且填充比不是很小时,吸收率曲线在短波长区会出现较为强烈的震荡.
中图分类号:
王爱华;蔡九菊;. 图案几何参数对硅晶圆片表面吸收率的影响[J]. 东北大学学报(自然科学版), 2011, 32(5): 687-690.
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