摘要： 本文利用热力学方法分析了SiO的挥发。在高炉内温度超过1600℃的强还原区SiO可能大最挥发。燃烧焦点处虽然温度很高,但氧化气氛很强,故SiO不可能在此大量挥发。高压有助于接受高风温。高炉内Si可从SiO_2及挥发的SiO中直接还原,炉温愈高愈有利于从SiO中还原。
中图分类号:
杨兆祥. SiO的挥发及其对高炉冶炼的影响[J]. 东北大学学报（自然科学版）, 1963, 0(6): 15-21.
-. -[J]. Journal of Northeastern University(Natural Science), 1963, 0(6): 15-21.
