东北大学学报:自然科学版 ›› 2014, Vol. 35 ›› Issue (7): 1019-1022.DOI: 10.12068/j.issn.1005-3026.2014.07.024
沈岩柏,魏德洲,马嘉伟,张宝庆
SHEN Yanbai, WEI Dezhou, MA Jiawei, ZHANG Baoqing
摘要: 以金属Te颗粒为原料,采用热蒸发法于镀金硅基板表面制备出TeO2纳米线,并以其为气敏材料制备成气敏元件.采用XRD,SEM和TEM表征TeO2纳米线的相组成和微观结构,结果表明,TeO2纳米线具有单一的四方相晶体结构,长度约为几十微米,直径约为80~600nm.在TeO2纳米线的顶端未发现Au颗粒,表明TeO2纳米线按照气-固机制进行生长.气敏特性的研究结果表明,TeO2纳米线呈现p型半导体特性,在室温条件下对NO2气体具有良好的响应,气体灵敏度与NO2气体体积分数呈线性增加关系.最后对气敏机制进行了初步探讨.
中图分类号: