东北大学学报(自然科学版) ›› 2011, Vol. 32 ›› Issue (8): 1153-1156.DOI: -
王雪;李成山;于泽铭;樊占国;
Wang, Xue (1); Li, Cheng-Shan (2); Yu, Ze-Ming (2); Fan, Zhan-Guo (1)
摘要: 由于硫元素与氧元素化学特性相近,利用硫在Ni基带表面形成的c(2×2)-S超结构可以有效地控制氧化物缓冲层在Ni基带表面的织构.本研究提出将单质硫在120℃下挥发,利用单质硫在基带表面的吸附与脱附形成有序c(2×2)-S超结构的新技术路线.X光电子能谱(XPS)结果显示,采用新技术处理的金属基带表面有明显的硫元素,基带表面Ni和S的原子比例符合c(2×2)结构中S的覆盖度,即0.5的要求.在经过硫化处理后的NiW基带表面制备缓冲层,结果显示,新硫化处理技术改善了NiW基带表面的物理化学特性,有利于氧化物缓冲层的外延生长.
中图分类号: